Isamu Akasaki (赤崎 勇, Akasaki Isamu?) (Chiran (luego fusionada a Minamikyūshū), Prefectura de Kagoshima, 30 de enero de 1929-Nagoya, 1 de abril de 2021) fue un ingeniero electrónico y científico japonés, profesor emérito de la Universidad de Nagoya. En 2014 recibió el Premio Nobel de Física, junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano, «por la invención de eficientes diodos de emisión de luz azules, que han hecho posibles las fuentes de luz blanca brillantes y de bajo consumo», y la Medalla Edison IEEE en 2011.
En 1952 se graduó en la Universidad de Kioto, en ingeniería electrónica, obteniendo un M.Sc. en la misma materia en 1964. Comenzó trabajando con ledes de luz azul de NGa a finales de los 60. Con su labor, fue mejorando la calidad de los cristales de GaN y su electrónica en el Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.(MRIT), donde se decidió a adoptar la deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos (MOVPE) como método preferido de crecimiento para el GaN. En esa etapa, coinventó el primer led de alto brillo de Nitruro de galio (GaN) de alto brillo.
En 1981 inició de nuevo los procesos de crecimiento de GaN por MOVPE en la Universidad de Nagoya (estatal), y en 1985, con su grupo, tuvo éxito en el crecimiento de GaN de alta calidad sobre sustrato de zafiro por la tecnología de capa amortiguadora pionera de baja temperatura (LT).
En 2014 le fue concedido el Premio Nobel de Física junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano.
1952-1959 Investigador Científico Kobe Kogyo Corporation (hoy, Fujitsu Ltd.)
1959-1964 Investigador Asociado, Profesor Asistente y profesor asociado, Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya
1964-1974 Jefe del Laboratorio de Investigación Básica 4, Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.
1974-1981 Gerente General del Departamento de Semiconductores (en el mismo instituto que el anterior)
1981-1992 Profesor en el Departamento de Electrónica de la Universidad de Nagoya
1987-1990 Líder de Proyecto de "Investigación y Desarrollo de diodo emisor de luz azul GaN", patrocinado por el Organismo Japonés de Ciencia y Tecnología (JST)
1992–hoy Profesor Emérito de la Univ. Nagoya, Profesor de la Univ. Meijo
1993-1999 Líder de Proyecto de "Investigación y Desarrollo de diodo emisor de luz azul GaN", patrocinado por el Organismo Japonés de Ciencia y Tecnología (JST)
1995-1996 Profesor visitante del Centro de Investigación para la interfaz de Electrónica Cuántica de la Universidad de Hokkaido
1996-2001 Líder de Proyectos de la Sociedad Japonesa para la Promoción de la Ciencia (JSPS) “Investigación para el "Programa Future"”
1996-2004 Líder del proyecto del “Centro de Alta Tecnología de Semiconductores de Nitruros" en la Univ. Meijo, auspicio del MEXT
2001–hoy Investigador del Centro Akasaki de Investigación de la Universidad de Nagoya
2003-2006 Pte. del "Comité Estratégico de I + D en dispositivos inalámbricos basados en Semiconductores de nitruros” auspicio del METI
2004–hoy Director del Centro de Investigación de Semiconductores de nitruros de la Universidad Meijo